Термочутливі генератори на основі одноперехідних і польових транзисторів

Анотація

Експериментально досліджено вплив температури на характеристики генераторів на основі одноперехідного транзистора (ОПТ). Показано, що при використанні генератора на ОПТ в якості датчика з частотним виходом, для підвищення залежності частоти від температури в коло емітера ОПТ та бази вводяться польові транзистори. Для отримання прямої залежності частоти від температури коло емітера ОПТ вводиться польовий МДН-транзистор, а для отримання зворотної залежності польовий транзистор з p-n переходом в якості затвора. Максимальна чутливість з прямою залежністю досягається при включенні в коло емітера ОПТ МДН-транзистора, а в коло бази, транзистора з p-n переходом. Досліджено вплив радіації на термочутливість генераторів. Складові транзистори опромінювалися потоком електронів, γ-квантів і нейтронів. Встановлено, що опромінення кожного транзистора по-різному впливає вихідну частоту генератора, вона або зменшується, або збільшується. Показано, що використовуючи схему генератора транзистори з протилежним знаком зміни частоти генератора при радіації, можна зменшувати залежність вихідної частоти від радіації. Максимальна компенсація дії радіації на вихідний сигнал може бути отримана при використанні МДН транзистора в колі емітера ОПТ, а транзистора з p-n переходом в колі бази. Встановлено граничні величини потоків різних випромінювань, після яких генератор перестає працювати.